IDF 2011: Показатель TDP чипов Intel Haswell составит 10-20 Вт

Микропроцессорный гигант Intel в ходе IDF 2011 представил первый опытные образцы процессоров архитектуры Haswell, выход которых назначен на 2013 год. Чипы Haswell будут исполнены по нормам 22-нанометрового технологического процесса на основе транзисторов с трехмерной структурой и должны прийти на смену процессорам линейки Ivy Bridge.

IDF 2011: Показатель TDP чипов Intel Haswell составит 10-20 Вт. Фото.

IDF 2011: Показатель TDP чипов Intel Haswell составит 10-20 Вт. Фото.
Главной особенностью процессоров Intel Haswell станет их энергоэффективность по сравнению с решениями основанными на базе архитектуры Sandy Bridge. Первый опытный образец был представлен вице-президентом компании Intel Мули Иденом (Mooly Eden), возглавляющим подразделение PC Client Group.

IDF 2011: Показатель TDP чипов Intel Haswell составит 10-20 Вт. Фото.
Значение показателя рассеиваемой мощности для чипов нового поколения заявлено на уровне 10-20 ватт, против 35-45 ватт у процессоров семейства Sandy и Ivy Bridge. Чипы семейства Haswell, на которых в будущем будут основаны большинство ноутбуков, позволят значительно экономить заряд батареи. Время автономной работы лэптопов сможет достичь 10 дней. Технология Turbo Boost будет играть ключевую роль и в чипах Haswell. Кроме процессорных ядер чипы Haswell будут включать в себя графическое ядро, а также поддерживать стандарт DirectX 11.1.

Источник: Softpedia.com

Новости партнеров
5 айфонов, которые я бы не стал покупать в 2025 году
5 айфонов, которые я бы не стал покупать в 2025 году
Бычий тренд Биткоина ещё якобы не начался. Почему главная криптовалюта может вырасти до конца года?
Бычий тренд Биткоина ещё якобы не начался. Почему главная криптовалюта может вырасти до конца года?
Galaxy S26 может подорожать: почему Samsung повышает цены впервые с 2022 года
Galaxy S26 может подорожать: почему Samsung повышает цены впервые с 2022 года